N01S830BAT22I

Name: onsemi N01S830BAT22I
Brand: onsemi
SKU: 863-N01S830BAT22I
Price: 28.99 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-N01S830BAT22I

制造商编号：

N01S830BAT22I

制造商：

onsemi

说明：

静态随机存取存储器 1MB 3V BATT BU FUNCT

数据表:

N01S830BAT22I 数据表 (PDF)

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥32.7587	¥32.76
	¥31.6852	¥316.85
	¥29.7755	¥595.51
	¥27.459	¥1,372.95
	¥26.8827	¥2,688.27
	¥25.8883	¥5,177.66
	¥25.6397	¥12,819.85

备用包装

制造商零件编号:

N01S830BAT22IT

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥44.4203

最小:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	静态随机存取存储器
RoHS:
存储容量:	1 Mbit
组织:	128 k x 8
访问时间:	25 ns
最大时钟频率:	20 MHz
接口类型:	SPI
电源电压-最大:	5.5 V
电源电压-最小:	2.5 V
电源电流—最大值:	20 mA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TSSOP-8
封装:	Tube
商标:	onsemi
存储类型:	SDR
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	SRAM
系列:	N01S830
工厂包装数量:	100
子类别:	Memory & Data Storage
类型:	Synchronous
单位重量:	400 mg

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

N01S830BAT22I 数据表 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542320041
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

N01S8 1Mb 超低功耗串行 SRAM

onsemi N01S8x 1Mb 超低功耗串行 SRAM 具有高速性能和低功耗特性。 N01S8x SRAM 通过单芯片选择 (CS) 输入工作，采用简单的串行外设接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式下，单数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路与时钟 (SCK) 一起使用，以访问这些器件内的数据。在 DUAL 模式下，使用两个复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 线路。在四路模式式下，四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 线路与时钟一起使用，以访问存储器。 N01S8x SRAM 可在 -40°C 至 +85°C 的宽温度范围内工作，采用 8 引脚 TSSOP 封装。
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