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安森美(onsemi)通过推动颠覆性创新,助力打造更美好的未来。该公司专注于汽车和工业终端市场,正加速推动汽车电气化和安全、工业自动化、可持续能源电网以及5G和云基础设施等领域的大趋势变革。凭借其创新的产品组合,安森美(onsemi)打造能应对复杂挑战的智能电源和传感技术,努力创造更清洁、更安全、更智能的世界。安森美(onsemi)拥有响应迅速、可靠的供应链和质量管理体系,以及稳健的ESG计划,在其核心市场建立了遍布全球的制造基地、销售与市场办事处以及工程中心。
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onsemi T30LMPSR165超快速线性稳压器该器件可以从1.4V的输入电压提供300mA的输出电流。2026/1/22 -
onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET该器件具有低QRR和软恢复体二极管,采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。2025/12/26 -
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET专为紧凑高效的设计而打造,具有优异的热性能。2025/12/19 -
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET具有低有效输出电容和超低栅极电荷特性。2025/12/4 -
onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET采用高性能沟槽技术,具备极低RDS(on)和快速开关速度。2025/11/25 -
onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET采用PowerTrench技术打造,具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。2025/11/25 -
onsemi NUD4700 LED分流器如果单个LED处于开路状态,则提供电流旁路 。2025/11/21 -
onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET具有60V漏源电压、39mΩ漏源导通电阻,并通过AEC-Q101认证。2025/11/20 -
onsemi NL5X4002电平转换器2位可配置双−电源双向自动感应转换器。2025/11/20 -
onsemi NCP737高压线性稳压器能够耐受高达65V的连续DC或瞬态输入电压,静态电流低于5uA。2025/11/20 -
onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET具备低RDS(on),可将导通损耗降至最低,同时兼具大电流能力。2025/11/20 -
onsemi AFGB30T65RQDN IGBT兼具高品质因数及低导通损耗和低开关损耗。2025/11/19 -
onsemi NZ8P齐纳保护二极管旨在保护敏感电子组件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。2025/11/19 -
onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET一款高效的单N沟道功率MOSFET,专为高要求电源管理应用而设计。2025/11/19 -
onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET专为低电压应用设计的高性能MOSFET,可实现高效的电源切换。2025/11/19 -
onsemi NCS37021自检GFCI一款符合UL943标准的信号处理器,适用于GFCI应用,具备自检功能。2025/10/20 -
onsemi FAN53745同步降压式稳压器一款DC-DC转换器,可在2.3V至5.5V输入电压范围内提供稳定输出电压。2025/10/20 -
onsemi NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET封装占位面积比SC-89小44%,厚度比SC-89薄38%。2025/10/14 -
onsemi NVNJWS200N031L单N沟道功率MOSFET该器件具有低RDS(on) 和低栅极阈值特性,采用可湿性侧翼封装。2025/10/14 -
onsemi AFGBG70T65SQDC N沟道场截止IV IGBT该器件性能优异,具有低导通损耗和低开关损耗。2025/10/13 -
onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N沟道场截止VII IGBT该器件性能优异,具备低通态电压与低开关损耗。2025/10/13 -
onsemi FPF2188L浪涌和过压保护开关一款浪涌和过压保护开关,适用于USB Type-C®/PD应用中的电源路径。2025/10/10 -
onsemi T10低/中压MOSFET40V和80V单通道N沟道MOSFET,具备更优性能与更高系统效率。2025/10/6 -
onsemi MMQA/SZMMQA ESD 保护二极管这些设备为需要瞬态过电压能力的应用而设计。2025/9/23 -
onsemi NL3V8T24x 8位双电源电平转换器可在数字系统中实现两个逻辑域之间的无缝电压电平转换。2025/9/10 -
