NTHL045N065SC1

onsemi
863-NTHL045N065SC1
NTHL045N065SC1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

数据表:
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库存量: 1,812

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥112.8192 ¥112.82
¥73.7777 ¥737.78
¥66.5005 ¥6,650.05
¥65.2575 ¥29,365.88

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
66 A
50 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
105 nC
- 55 C
+ 175 C
291 W
Enhancement
EliteSiC
商标: onsemi
配置: Single
组装国: KR
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 7 ns
正向跨导 - 最小值: 14 S
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 30 ns
系列: NTHL045N065SC1
工厂包装数量: 450
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M2 EliteSiC MOSFET

安森美M2 EliteSiC MOSFET提供650VMHz、750VMHz和1200V电压选项。安森美M2 MOSFET有多种封装可供选择，包括D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD和TO-247-4LD。MOSFET在设计和实施方面提供了灵活性。此外，M2 EliteSiC MOSFET具有+22V/-8V的最大栅极-源极电压、低RDS(on) 和长短路耐受时间（SCWT）。

NTHL045N065SC1碳化矽（SIC）MOSFET

安森美NTHL045N065SC1碳化矽（SIC）采用了一种全新的技术，与硅相比，提供了卓越的开关性能和高可靠性。这种芯片大小的MOSFET结构紧凑，具有低导通电阻，可确保低电容和栅极电荷。  NTHL045N065SC1 MOSFET具有高效率、快速工作频率、高功率密度、低EMI以及较小的系统尺寸等特性。典型应用包括开关模式电源（SMPS）、太阳能逆变器、DC-DC转换器、UPS和储能。

栅极驱动器与EliteSiC的配对MOSFET

电动汽车充电、能量储存、不间断电力系统 (UPS) 和太阳能等能源基础设施应用正在将系统功率水平提升到数百千瓦甚至兆瓦。这些大功率应用采用半桥、全桥和三相拓扑，逆变器和BLDC的工作循环多达六个开关。根据功率等级和开关速度，系统设计人员需要采用各种开关技术，包括硅、IGBT和SiC，以满足最佳应用要求。

650V碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美（onsemi）650V碳化硅 (SiC) MOSFET与硅器件(Si)相比可提供出色的开关性能和更高的可靠性。650V SiC MOSFET具有低导通电阻，采用紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和低栅极电荷。优势包括效率高、工作频率快、功率密度高、EMI低以及系统尺寸小。

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