NTJS3151PT2G

onsemi
863-NTJS3151PT2G
NTJS3151PT2G

制造商:

说明:
MOSFET 12V 3.3A P-Channel

ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SC-88-6
P-Channel
1 Channel
12 V
3.3 A
133 mOhms
- 12 V, 12 V
- 55 C
+ 150 C
625 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 1.5 ns
正向跨导 - 最小值: 15 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 1.5 ns
系列: NTJS3151P
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 3.5 ns
典型接通延迟时间: 0.86 ns
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已选择的属性: 0

                        
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5-9999-2

合规代码
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
中国台湾
发货时,国家/地区可能会发生变化。

NxJS3151P单P沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NxJS3151P单P沟道功率MOSFET是高性能MOSFET,设计用于高效开关应用。这些安森美 (onsemi) MOSFET采用紧凑的SC-88 (SOT-363) 2mm x 2mm封装,在-4.5V时提供仅45mΩ的RDS(on),从而降低了导通损耗,并提高了热性能。NxJS3151P设备的最大漏极电流为-3.3A,漏源电压额定值为-12V,非常适合用于便携式和电池供电设备中的负载开关。超低栅极电荷和快速开关特性有助于提高能效,使安森美 (onsemi) NxJS3151P单P沟道功率MOSFET成为功率密度和可靠性至关重要的空间受限设计的理想选择。

库存量: 2,890

库存:
2,890 可立即发货
生产周期:
44 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥5.4579 ¥5.46
¥2.4408 ¥24.41
¥2.147 ¥214.70
¥1.6159 ¥807.95
¥1.4916 ¥1,491.60
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥1.13 ¥3,390.00
¥1.03395 ¥6,203.70
¥1.00118 ¥9,010.62
¥0.87688 ¥21,045.12

备用包装

制造商零件编号:
包装:
Reel, Cut Tape, MouseReel
供货情况:
库存量
单价:
¥5.2093
最小:
1

可能的更换

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