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NTMFD024N06CT1G

Name: onsemi NTMFD024N06CT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFD024N06CT1G
Price: 11.79 RMB
Availability: InStock

Mouser编号：

863-NTMFD024N06CT1G

制造商编号：

NTMFD024N06CT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

数据表:

NTMFD024N06CT1G 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
产品类型:	MOSFETs
系列:	NTMFD024N06C
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors

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数据表

NTMFD024N06CT1G 数据表 (PDF)

PCN

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合规代码

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 日本

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

特色产品

ONSEMI

80V Single N-Channel Power MOSFETs

Offer low R_DS(on) to minimize conduction losses & low QG and capacitance to minimize driver losses.

了解更多的信息

NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET

具有低RDS_(on)和低栅极阈值，且集成ESD保护。

了解更多的信息

NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET

针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。

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NTMFD0D9N02P1E MOSFET

一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。

了解更多的信息

NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET

专为紧凑高效的设计打造，兼具卓越的热性能。

了解更多的信息

库存量: 1,500

库存：: 1,500 可立即发货

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生产周期：: 53 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥13.3227	¥13.32
	¥6.2489	¥62.49
	¥5.5709	¥557.09
	¥4.1132	¥2,056.60
	¥3.5595	¥3,559.50
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥3.1979	¥4,796.85
	¥3.1301	¥9,390.30

NTMFD024N06CT1G

制造商： onsemi

说明： MOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

规格

文件 (4)

数据表

PCN

环境文件

产品与贸易合规

更多信息

Trench6 N沟道MV MOSFET

特色产品 ONSEMI

库存量: 1,500

定价 (含13% 增值税)

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出现意外错误。

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

特色产品

ONSEMI