NTMFD5C650NLT1G

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Mouser编号：

863-NTMFD5C650NLT1G

制造商编号：

NTMFD5C650NLT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET T6 60V LL S08FL DS

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

NTMFD5C650NLT1G 数据表

ECAD模型:

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发货提醒：

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SO-8FL-Dual-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	111 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.2 V
Qg-栅极电荷:	37 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	125 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Dual
下降时间:	13 ns
正向跨导 - 最小值:	120 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	24 ns
系列:	NTMFD5C650NL
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	37 ns
典型接通延迟时间:	13 ns
单位重量:	161.193 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

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EOL

Product Discontinuance Notification 2025-01-08 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

双N通道功率MOSFET

安森美半导体双N通道功率MOSFET集成有肖特基，采用DFN8 (SO8FL) 封装。这些N沟道功率MOSFET是内置功率级的解决方案，可最大限度地减少电路板占用空间，最大限度地降低寄生电感并降低功耗。该款双N通道功率MOSFET无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令。典型应用包括直流-直流转换器、系统电压轨以及负载点。