NTMFS5C612NT1G-TE

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Mouser编号：

863-NTMFS5C612NT1GTE

制造商编号：

NTMFS5C612NT1G-TE

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

NTMFS5C612NT1G-TE 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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发货提醒：

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SO-8FL
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	235 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.2 V
Qg-栅极电荷:	91 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	3.8 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors

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数据表

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EOL

Product Discontinuation Notification (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SuperFET® III MOSFET

安森美(onsemi) SuperFET® III MOSFET是高压超结 (SJ) N沟道MOSFET，旨在满足电信、服务器、电动汽车 (EV) 充电器和太阳能产品的高功率密度、系统效率和超高可靠性要求。此系列器件拥有出色的可靠性、低电磁干扰、超高的效率和卓越的热性能，是高性能应用的理想选择。除高性能外，SuperFET III MOSFET还通过丰富的封装选项为产品设计师提供高度的灵活性，特别是在尺寸受限的设计中。