NTMJS1D7N04CTWG

onsemi
863-NTMJS1D7N04CTWG
NTMJS1D7N04CTWG

制造商：

说明：
MOSFET TRENCH 6 40V SL NFET

数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-8
N-Channel
1 Channel
40 V
185 A
1.7 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
47 nC
- 55 C
+ 175 C
106 W
Enhancement
Reel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 8 ns
正向跨导 - 最小值: 130 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 48 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 29 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
单位重量: 99.445 mg
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
日本
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
日本
发货时，国家/地区可能会发生变化。

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

供货情况

库存：
无库存
生产周期：
49 周 预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 3000   倍数： 3000
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥10.9158 ¥32,747.40

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