NVMFS5C426NET1G

onsemi
863-NVMFS5C426NET1G
NVMFS5C426NET1G

制造商：

说明：
MOSFET T6-D3F 40V NFET

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表:
ECAD模型:
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库存量: 1,467

库存：
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生产周期：
52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥19.5377 ¥19.54
¥12.4187 ¥124.19
¥8.3846 ¥838.46
¥6.7913 ¥3,395.65
¥6.0907 ¥6,090.70
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥5.6839 ¥8,525.85
¥5.4014 ¥16,204.20

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
235 A
1.3 mOhms
20 V
3.5 V
65 nC
- 55 C
+ 175 C
128 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 9 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 47 ns
系列: NVMFS5C426N
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 36 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
美国
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
美国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

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