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NVMFS5C466NLWFT1G

Name: onsemi NVMFS5C466NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS5C466NLWFT1
Price: 17.86 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NVMFS5C466NLWFT1

制造商编号：

NVMFS5C466NLWFT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 40V 7 MOHM T8 S08FL SINGL

数据表:

NVMFS5C466NLWFT1G 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SO-8FL-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	52 A
Rds On-漏源导通电阻:	7.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.2 V
Qg-栅极电荷:	16 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	37 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	6 ns
正向跨导 - 最小值:	33 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	24 ns
系列:	NVMFS5C466NL
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	29 ns
典型接通延迟时间:	8 ns
单位重量:	187 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

NVMFS5C466NLWFT1G 数据表

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 日本

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

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库存量: 1,350

库存：: 1,350 可立即发货

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生产周期：: 52 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按1500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥20.1818	¥20.18
	¥12.9837	¥129.84
	¥8.8479	¥884.79
	¥7.458	¥3,729.00
	¥6.5992	¥6,599.20
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥6.2376	¥9,356.40
	¥5.9325	¥17,797.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

NVMFS5C466NLWFT1G

制造商： onsemi

说明： MOSFET 40V 7 MOHM T8 S08FL SINGL

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Trench6 N沟道MV MOSFET

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