NVMFS5C468NT1G

onsemi
863-NVMFS5C468NT1G
NVMFS5C468NT1G

制造商:

说明:
MOSFET 40V 12 MOHM T6 S08FL SING

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
1 Channel
40 V
35 A
12 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
7.9 nC
- 55 C
+ 175 C
28 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 5 ns
正向跨导 - 最小值: 19 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 16 ns
系列: NVMFS5C468N
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 16 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
单位重量: 750 mg
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
日本
发货时,国家/地区可能会发生变化。

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美(onsemi)Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺(结合屏蔽栅极技术)生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化,可最大限度地降低导通电阻,另外还采用出色的软体二极管,可保持卓越的开关性能。

NVMx和NVTx功率MOSFET

安森美半导体NVMx和NVTx功率MOSFET符合AEC−Q101标准,可为汽车应用提供紧凑高效的解决方案。NVMx和NVTx功率MOSFET具有低RDS(on),可最大限度地降低导通损耗,另外还具有低QG和电容,可将驱动器损耗降到最低。这些单N通道MOSFET采用紧凑型SO-8FL和WDFN8封装,无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令。
了解详情

库存量: 3,597

库存:
3,597 可立即发货
生产周期:
53 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按1500的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥17.289 ¥17.29
¥11.0062 ¥110.06
¥7.4467 ¥744.67
¥6.0342 ¥3,017.10
¥5.4127 ¥5,412.70
整卷卷轴(请按1500的倍数订购)
¥5.0511 ¥7,576.65
¥4.859 ¥14,577.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。