NVMFWD024N06CT1G

onsemi
863-NVMFWD024N06CT1G
NVMFWD024N06CT1G

制造商:

说明:
MOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 1,500

库存:
1,500 可立即发货
生产周期:
52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥27.6285 ¥27.63
¥17.8653 ¥178.65
¥12.3283 ¥1,232.83
¥10.2604 ¥5,130.20
¥9.5146 ¥9,514.60
整卷卷轴(请按1500的倍数订购)
¥9.0174 ¥13,526.10

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SO-8FL-Dual-8
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
产品类型: MOSFETs
系列: NVMFD024N06C
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
单位重量: 161.193 mg
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
日本
发货时,国家/地区可能会发生变化。

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美(onsemi)Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺(结合屏蔽栅极技术)生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化,可最大限度地降低导通电阻,另外还采用出色的软体二极管,可保持卓越的开关性能。