NVMFWS2D3N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS2D3N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS2D3N04XMT1G
Price: 16.32 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-VMFWS2D3N04XMT1G

制造商编号：

NVMFWS2D3N04XMT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

数据表:

NVMFWS2D3N04XMT1G 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	121 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	22.2 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	63 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	4.2 ns
正向跨导 - 最小值:	89.2 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	5.1 ns
系列:	NVMFWS2D3N04XM
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	23.4 ns
典型接通延迟时间:	15.2 ns

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数据表

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PCN

Product Change Notification 2024-07-03 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 日本

发货时，国家/地区可能会发生变化。

单N沟道功率MOSFET

安森美（onsemi）单N沟道功率MOSFET设计用于高效的紧凑型设计，占位面积小。这些功率MOSFET具有低R_DS(ON) 、低Q_G 和低电容，最大限度地降低了导通损耗和驱动器损耗。这些MOSFET具有40V、60V和80V漏-源电压和±20V栅-源电压。安森美（onsemi）单N沟道功率MOSFET无铅，符合RoHS指令。