NVMJS1D2N04CLTWG

onsemi
863-NVMJS1D2N04CLTWG
NVMJS1D2N04CLTWG

制造商：

说明：
MOSFET T6 40V LL LFPAK

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表:
ECAD模型:
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库存量: 3,000

库存：
3,000 可立即发货
生产周期：
52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于3000的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥26.4646 ¥26.46
¥17.2099 ¥172.10
¥11.9102 ¥1,191.02
¥9.9214 ¥4,960.70
¥9.4242 ¥9,424.20
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥8.5993 ¥25,797.90
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
LFPAK-8
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
产品类型: MOSFETs
系列: NVMJS1D2N04CL
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
日本
发货时，国家/地区可能会发生变化。

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

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