NXV65HR82DZ2

Name: onsemi NXV65HR82DZ2
Brand: onsemi
SKU: 863-NXV65HR82DZ2
Price: 193.83 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

863-NXV65HR82DZ2

制造商编号：

NXV65HR82DZ2

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

数据表:

NXV65HR82DZ2 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	APMCA-16
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	4 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	26 A
Rds On-漏源导通电阻:	82 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5 V
Qg-栅极电荷:	79.7 nC
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
Pd-功率耗散:	126 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	onsemi
产品类型:	MOSFETs
系列:	NXV65HR82D
工厂包装数量:	12
子类别:	Transistors

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数据表

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PCN

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

汽车用功率MOSFET

安森美 (onsemi) 功率MOSFET具有低R_DS(on)，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低Q_G/电容，可最大限度地降低驱动器损耗。这些功率MOSFET可降低开关损耗/电磁干扰 (EMI)。安森美 (onsemi) 汽车用功率MOSFET采用TO无引线 (TOLL) 封装，实现高效设计，具有较高的散热性能。这些MOSFET符合汽车应用类AEC-Q101标准并具有PPAP功能。这些器件适合用于电动工具、电池供电吸尘器、无人航空载具 (UAV)/无人机、材料处理、电池管理系统 (BMS)/存储和家居自动化。