GS61008P-E05-MR

499-GS61008P-E05-MR
GS61008P-E05-MR

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 No longer available. Order GS61008P-MR

寿命周期:
停产
数据表:
ECAD模型:
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供货情况

库存：

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: GaN 场效应晶体管
发货限制：
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RoHS:  
SMD/SMT
GaNPX-4
N-Channel
1 Channel
100 V
90 A
9.5 mOhms
- 10 V, + 7 V
1.7 V
8 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品: MOSFETs
产品类型: GaN FETs
系列: GS6100x
工厂包装数量: 250
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: E-HEMT Power Transistor
单位重量: 4.675 g
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已选择的属性: 0

数据表

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国台湾
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
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