IMBF170R1K0M1XTMA1

Name: Infineon IMBF170R1K0M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBF170R1K0M1XTM
Price: 34.77 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IMBF170R1K0M1XTM

制造商编号：

IMBF170R1K0M1XTMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

碳化硅MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

数据表:

IMBF170R1K0M1XTMA1 数据表 (PDF)

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库存量: 740

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预期 2026/3/2
生产周期：: 26

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最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥39.2901	¥39.29
	¥25.9674	¥259.67
	¥19.5264	¥1,952.64
	¥17.6958	¥8,847.90
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥14.5544	¥14,554.40

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-263-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.7 kV
Id-连续漏极电流:	5.2 A
Rds On-漏源导通电阻:	1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	68 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolSiC
商标:	Infineon Technologies
下降时间:	22 ns
正向跨导 - 最小值:	0.42 S
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	11 ns
系列:	CoolSiC 1700V
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	20 ns
典型接通延迟时间:	19 ns
零件号别名:	IMBF170R1K0M1 SP002739692
单位重量:	1.600 g

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Product Catalogs

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ MOSFET

英飞凌CoolSiC™ MOSFET采用先进的沟槽半导体工艺构建，经过优化，可实现最低的应用损耗和最高的运行可靠性。该款分立式CoolSiC产品组合采用TO和SMD外壳，有650V、1200V和1700V电压等级可供选择，额定导通电阻范围为27mΩ 至1000mΩ 。CoolSiC沟槽式技术可实现灵活的参数集，用于在各自的产品组合中实现特定应用的特性。这些特性包括栅极-源极电压、雪崩规格、短路能力或额定用于硬换向的内部体二极管。