T2G4005528-FS

Qorvo
772-T2G4005528-FS
T2G4005528-FS

制造商:

说明:
GaN 场效应晶体管 DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless

ECAD模型:
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供货情况

库存:
无库存
生产周期:
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最少: 100   倍数: 100
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¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
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¥2,261.1865 ¥226,118.65

产品属性 属性值 选择属性
Qorvo
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
NI-360
N-Channel
商标: Qorvo
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: US
增益: 16 dB
最大工作频率: 3.5 GHz
湿度敏感性: Yes
输出功率: 55 W
封装: Tray
产品类型: GaN FETs
系列: T2G4005528
工厂包装数量: 100
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: HEMT
类型: GaN SiC HEMT
零件号别名: T2G4005528 1099993
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8542319000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8542330996
KRHTS:
8532331000
MXHTS:
8542330201
ECCN:
EAR99

QPD GaN射频晶体管

Qorvo QPD GaN射频晶体管可用于Doherty架构,适用于宏蜂窝高效率系统的基站功率放大器的最后一级。这些GaN晶体管是分立式碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT),设有单级匹配功率放大器晶体管。典型应用包括W-CDMA/LTE、宏蜂窝基站、有源天线和通用应用。