"RF TRANSISTOR"所有结果 (1,242)

选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS

onsemi 射频(RF)双极晶体管 PNP RF Transistor
77,950预期 2027/7/19
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

Qorvo 射频开发工具 Redesign of QPD1014
3在途量
最低: 1
倍数: 1

Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.40 mm Pwr pHEMT
300预期 2026/7/10
最低: 100
倍数: 100
: 100

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LANDMOBILE 7W PLD1.5W
12,208在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART150FE/SOT467C/TRAY
120预期 2026/11/20
最低: 1
倍数: 1

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
479在途量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 射频放大器 RF BIP TRANSISTORS
14,683预期 2026/7/27
最低: 1
倍数: 1
: 7,500

Qorvo 射频开发工具 Redesign of QPD1011
3预期 2026/7/23
最低: 1
倍数: 1

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D1822S-60PBG/OMP-78/REELDP
200预期 2026/11/26
最低: 1
倍数: 1
: 100

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S70G/TO270/REEL
300预期 2026/10/8
最低: 1
倍数: 1
: 100

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
45预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1

Qorvo 射频开发工具 Redesign of QPD1004
3预期 2026/7/31
最低: 1
倍数: 1

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174
156预期 2026/7/7
最低: 1
倍数: 1

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
724在途量
最低: 1
倍数: 1
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
2,405预期 2026/7/15
最低: 1
倍数: 1

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,40W,<500MHz,28V,TMOS
40预期 2026/8/7
最低: 1
倍数: 1

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
154在途量
最低: 1
倍数: 1

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100G/TO270/REEL
500预期 2026/9/21
最低: 1
倍数: 1
: 500

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9LA25SG/TO270/REEL
200预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1
: 100

NXP Semiconductors 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
45,000预期 2027/2/16
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 26 GHz Medium Power Packaged GaAs FET
100预期 2026/7/15
最低: 1
倍数: 1
: 100

Infineon Technologies 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
12,205预期 2026/12/10
最低: 1
倍数: 1
: 15,000

NXP Semiconductors 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

Qorvo GaN 场效应晶体管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
353预期 2026/7/10
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
48,163预期 2027/2/4
最低: 1
倍数: 1
: 3,000