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|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
- MRF151G
- MACOM
-
1:
¥3,716.0954
-
交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
937-MRF151G
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
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交货期 28 周
|
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¥3,716.0954
|
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¥3,167.1075
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最低： 1
倍数： 1
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
- PXAE263708NB-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥550.3891
-
无库存
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Mouser 零件编号
941-PXAE263708NBV1R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
|
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无库存
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¥550.3891
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¥481.493
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查看
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报价
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最低： 50
倍数： 50
:
50
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射频开发工具 DC-3.5 GHz, 100W, 28V GaN RF Pwr Tr
- TGF2929-FLEVB01
- Qorvo
-
1:
¥7,599.5325
-
无库存交货期 16 周
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Mouser 零件编号
772-TGF2929-FLEVB01
|
Qorvo
|
射频开发工具 DC-3.5 GHz, 100W, 28V GaN RF Pwr Tr
|
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无库存交货期 16 周
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最低： 1
倍数： 1
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included
- LTA/PTRA097058NB-V1
- MACOM
-
1:
¥6,436.5817
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-TAPTRA097058NBV1
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included
|
|
无库存
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|
¥6,436.5817
|
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¥5,730.6481
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最低： 1
倍数： 1
|
否
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-PH27F
- CML Micro
-
1:
¥154.1659
-
无库存交货期 27 周
|
Mouser 零件编号
938-MWT-PH27F
|
CML Micro
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
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无库存交货期 27 周
|
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最低： 1
倍数： 1
|
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MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
- RF4E110BNTR
- ROHM Semiconductor
-
3,000:
¥2.3278
-
无库存交货期 18 周
|
Mouser 零件编号
755-RF4E110BNTR
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
|
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无库存交货期 18 周
|
|
|
¥2.3278
|
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¥2.147
|
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¥2.0679
|
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最低： 3,000
倍数： 3,000
:
3,000
|
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|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD57018TR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥188.5066
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57018TR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 600
倍数： 600
:
600
|
|
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|
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,Bipolar,50W,36V,2.20-2.60GHz
MACOM PH2226-50M
- PH2226-50M
- MACOM
-
20:
¥3,717.4175
-
无库存交货期 22 周
|
Mouser 零件编号
937-PH2226-50M
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,Bipolar,50W,36V,2.20-2.60GHz
|
|
无库存交货期 22 周
|
|
最低： 20
倍数： 20
|
|
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射频(RF)双极晶体管 Transistor,130Wpk,2.7-2.9GHz,100us,10%
MACOM PH2729-130M
- PH2729-130M
- MACOM
-
20:
¥5,833.1278
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
937-PH2729-130M
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,130Wpk,2.7-2.9GHz,100us,10%
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
最低： 20
倍数： 20
|
|
|
|
|
射频开发工具 DC-4 GHz, 45W, 48V GaN RF Pwr Tr
- QPD0030EVB01
- Qorvo
-
1:
¥7,599.5325
-
无库存交货期 14 周
|
Mouser 零件编号
772-QPD0030EVB01
|
Qorvo
|
射频开发工具 DC-4 GHz, 45W, 48V GaN RF Pwr Tr
|
|
无库存交货期 14 周
|
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最低： 1
倍数： 1
|
|
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射频开发工具 .96-1.215 GHz EVB
- QPD1008LPCB4B01
- Qorvo
-
1:
¥9,362.6263
-
无库存交货期 16 周
|
Mouser 零件编号
772-QPD1008LPCB4B01
|
Qorvo
|
射频开发工具 .96-1.215 GHz EVB
|
|
无库存交货期 16 周
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
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|
射频开发工具 AMPLIFIER ASSY, 4.0GHz, CG2H40045F
- CG2H40045F-AMP
- MACOM
-
2:
¥12,752.7958
-
无库存交货期 8 周
|
Mouser 零件编号
941-CG2H40045FAMP
|
MACOM
|
射频开发工具 AMPLIFIER ASSY, 4.0GHz, CG2H40045F
|
|
无库存交货期 8 周
|
|
最低： 2
倍数： 2
|
否
|
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|
射频开发工具 1.2-1.4GHz,1500W,65V,GaN RF I/P-Mtchd Tr
- QPD1029LEVB4
- Qorvo
-
1:
¥7,599.5325
-
交货期 16 周
|
Mouser 零件编号
772-QPD1029LEVB4
|
Qorvo
|
射频开发工具 1.2-1.4GHz,1500W,65V,GaN RF I/P-Mtchd Tr
|
|
交货期 16 周
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 500W Gain: 9.0dB min
MACOM MAPR-000912-500S00
- MAPR-000912-500S00
- MACOM
-
20:
¥10,296.899
-
无库存交货期 22 周
|
Mouser 零件编号
937-MAPR000912500S00
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 500W Gain: 9.0dB min
|
|
无库存交货期 22 周
|
|
最低： 20
倍数： 20
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,75W,1030-1090MHz,250us,10%
MACOM PH1090-75L
- PH1090-75L
- MACOM
-
20:
¥4,854.3557
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
937-PH1090-75L
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,75W,1030-1090MHz,250us,10%
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
最低： 20
倍数： 20
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD57018STR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥187.6817
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57018STR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥187.6817
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 600
倍数： 600
:
600
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
- PD57060TR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥372.9678
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57060TR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥372.9678
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 600
倍数： 600
:
600
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD55003S-E
- STMicroelectronics
-
1:
¥113.4068
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD55003S-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥113.4068
|
|
|
¥84.5353
|
|
|
¥70.3877
|
|
|
¥62.7828
|
|
|
¥58.647
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
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|
GaN 场效应晶体管 1.2-1.4GHz,1500W,65V,GaN RF I/P-Mtchd Tr
- QPD1029L
- Qorvo
-
18:
¥18,818.9635
-
无库存交货期 20 周
|
Mouser 零件编号
772-QPD1029L
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 1.2-1.4GHz,1500W,65V,GaN RF I/P-Mtchd Tr
|
|
无库存交货期 20 周
|
|
最低： 18
倍数： 18
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
- TGF2023-2-01
- Qorvo
-
50:
¥405.0711
-
交货期 16 周
|
Mouser 零件编号
772-TGF2023-2-01
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
|
|
交货期 16 周
|
|
|
¥405.0711
|
|
|
¥389.0025
|
|
|
¥386.6634
|
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|
查看
|
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报价
|
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最低： 50
倍数： 50
|
|
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|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Broadband pwr LDMOS transistor
- BLF647PSJ
- Ampleon
-
100:
¥1,540.416
-
无库存交货期 16 周
|
Mouser 零件编号
94-BLF647PSJ
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Broadband pwr LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 16 周
|
|
|
¥1,540.416
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 100
倍数： 100
:
100
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTVA120251EA-V2-R250
- MACOM
-
250:
¥365.7358
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTVA120251EA2R2
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥365.7358
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTVA123501EC-V2-R250
- MACOM
-
250:
¥2,960.261
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTVA123501EC2R2
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTVA035002EV-V1-R250
- MACOM
-
250:
¥3,878.0131
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTVA035002EV1R2
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTVA123501EC-V2-R0
- MACOM
-
50:
¥2,974.7589
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTVA123501EC2R0
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
最低： 50
倍数： 50
:
50
|
|
|
