"RF TRANSISTOR"所有结果 (1,241)

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数量 RoHS
MACOM PH3135-65M
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,Bipolar,65W,36V,3.10-3.50GHz
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 20
倍数： 20
: 20

MACOM PH2226-110M
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,Bipolar,Radar,110W,2.25-2.55G
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 20
倍数： 20

MACOM 射频开发工具 AMPLIFIER ASSY, 0.5 - 2.5GHz
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 2
倍数： 2
否
STMicroelectronics RF2L24280CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 280 W, 28 V, 2.4 to 2.5 GHz RF Power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100

STMicroelectronics SD2931-15W
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 PTD NEW MAT & PWR SOLUTION 无库存交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

MACOM 射频开发工具 AMPLIFIER ASSY, DC - 4GHz, INCLUDES CGH4
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 2
倍数： 2
否
MACOM 射频开发工具 AMPLIFIER ASSY, INCLUDES CGHV96050F2
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 2
倍数： 2
否
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

MACOM PH1090-175L
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,Bipolar,Av,175W,1030-1090MHz
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 20
倍数： 20

NXP Semiconductors 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
数据表
交货期 53 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 10,000

MACOM 射频开发工具 AMPLIFIER ASSY, 4.0GHz, INCLUDES CGH4004
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 2
倍数： 2
否
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
否
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans
数据表
无库存交货期 13 周
最低： 100
倍数： 100
: 100

Qorvo GaN 场效应晶体管 1500W, 65V,GaN pre-matched, 442(+/-5) MH
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1

STMicroelectronics RF5L0912750CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, 960 to 1215 MHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB
数据表
交货期 36 周
最低： 1
倍数： 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 160
倍数： 160
: 160

STMicroelectronics STAC1011-500
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500 W, 50 V, 700 to 1200 MHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 80
倍数： 20

Microchip Technology VRF161
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174
数据表
无库存交货期 30 周
最低： 12
倍数： 1