BSH205G2R

Nexperia
771-BSH205G2R
BSH205G2R

制造商：

说明：
MOSFET SOT23 P-CH 20V 2.3A

数据表:
ECAD模型:
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供货情况

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38,750
预期 2027/6/7
生产周期：
53
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥4.8025 ¥4.80
¥3.277 ¥32.77
¥2.0792 ¥207.92
¥1.3108 ¥655.40
¥1.1413 ¥1,141.30
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥1.00909 ¥3,027.27
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Nexperia
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1 Channel
20 V
2.3 A
170 mOhms
- 8 V, 8 V
450 mV
6.5 nC
- 55 C
+ 150 C
890 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Nexperia
配置: Single
下降时间: 16 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 14 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel Trench MOSFET
典型关闭延迟时间: 43 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
零件号别名: 934068496215
单位重量: 8 mg
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已选择的属性: 0 

                        
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数据表

Application Notes

PCN

合规代码
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

BSH205G2 20V P 沟道沟槽式 MOSFET

恩智浦 P 沟道沟槽式 MOSFET 是 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装式 (SMD)塑料封装的增强模式场效应晶体管(FET)。它采用沟槽式 MOSFET 技术， 提供低阈值电压并可以快速开关。MOSFET 适合运用于 继电器驱动器、高速线路驱动器及开关电路等应用中。
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