BSM250D17P2E004

ROHM Semiconductor
755-BSM250D17P2E004
BSM250D17P2E004

制造商：

说明：
MOSFET模块 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module

数据表:
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¥-.--
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产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
SiC
Screw Mount
Module
N-Channel
2 Channel
1.7 kV
250 A
- 6 V, + 22 V
4 V
- 40 C
+ 150 C
1.8 kW
BSMx
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Dual
下降时间: 70 ns
高度: 15.4 mm
长度: 152 mm
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 55 ns
工厂包装数量: 4
子类别: Discrete and Power Modules
类型: SiC Power Module
典型关闭延迟时间: 195 ns
典型接通延迟时间: 55 ns
Vr - 反向电压 : 1.2 kV
宽度: 62 mm
单位重量: 431 g
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已选择的属性: 0

数据表

Other

Specification Sheets

Test/Quality Data

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541590000
USHTS:
8541590080
JPHTS:
854159000
TARIC:
8541590000
MXHTS:
8541500100
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
日本
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

SiC功率模块

ROHM Semiconductor SiC功率模块是在一个封装中集成了SiC SBD和SiC MOSFET的半桥SiC模块。这类模块能在减少开关损耗的同时高频运行。与现有解决方案相比，此优化设计减少了杂散电感。另外，为了防止发生过热情况，还提供了集成其他热敏电阻的E型模块。

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