C3M0021120D

Wolfspeed
941-C3M0021120D
C3M0021120D

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET

数据表:
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数量 单价
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¥148.8097 ¥148.81
¥128.6279 ¥1,286.28
2,520 报价

产品属性 属性值 选择属性
Wolfspeed
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
100 A
28.8 mOhms
- 4 V, + 15 V
1.8 V
160 nC
- 40 C
+ 175 C
469 W
Enhancement
商标: Wolfspeed
配置: Single
下降时间: 25 ns
正向跨导 - 最小值: 35 S
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 27 ns
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 72 ns
典型接通延迟时间: 142 ns
单位重量: 6 g
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

1200V碳化硅功率MOSFET

Wolfspeed  1200V碳化硅功率MOSFET为性能、耐用性和设计简易设定了标准。Wolfspeed MOSFET具有快速开关和低开关损耗的特点，与传统的硅MOSFET和IGBT器件相比，能显著提高系统效率、功率密度，并降低总体BOM成本。

碳化硅1200V MOSFET和二极管

Wolfspeed碳化硅 (SiC) 1200V MOSFET与二极管可在要求苛刻的应用中实现了更高效率的强大组合。这些MOSFET和肖特基二极管设计用于大功率应用。1200V SiC MOSFET具有稳定的Rds(on) 过热和雪崩耐受性。这些MOSFET配备坚固耐用的体二极管，无需外部二极管，由于支持15V栅极驱动，因此易于驱动。1200 V SiC MOSFET提高了系统级效率，降低了开关和传导损耗，提高了系统级功率密度。

SiC C3M MOSFET

Cree SiC C3M MOSFET能够实现更高的开关频率，减小电感器、电容器、滤波器和变压器的器件尺寸。 SiC C3M MOSFET具有更高的系统效率和较低的冷却需求。 MOSFET还可增加功率密度和系统转换频率。

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