CG2H40025F

Name: MACOM CG2H40025F
Brand: MACOM
SKU: 941-CG2H40025F
Price: 1917.12 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

941-CG2H40025F

制造商编号：

CG2H40025F

制造商：

MACOM

说明：

GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt

数据表:

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥2,166.3456	¥2,166.35
	¥1,829.357	¥18,293.57

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	MACOM
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	440166
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	120 V
Id-连续漏极电流:	3 A
Vgs th-栅源极阈值电压:	- 3.8 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
商标:	MACOM
增益:	15 dB
最大工作频率:	6 GHz
最小工作频率:	0 Hz
输出功率:	25 W
封装:	Tray
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	40
子类别:	Transistors
技术:	GaN
晶体管类型:	GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 :	- 10 V, 2 V
单位重量:	10.566 g

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

CG2H40xx和CG2H30xx GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Wolfspeed /Cree CG2H40xx和CG2H30xx GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 采用28V导轨式电源供电。CG2H40xx和CG2H30xx晶体管是面向各种射频和微波应用的通用型宽带解决方案。这些高电子迁移率晶体管 (HEMT) 具有高效率、高增益和高带宽，非常适合用于线性和压缩放大器电路。CG2H40xx和CG2H30xx晶体管可采用各种封装，包括螺丝固定、法兰封装、焊接封装、丸剂式封装以及2引脚法兰封装。典型应用包括宽带放大器、蜂窝基础设施和雷达。
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