CGHV40180F

MACOM
941-CGHV40180F
CGHV40180F

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT

数据表:
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库存量: 350

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¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥3,530.7867 ¥3,530.79
¥3,064.56 ¥30,645.60

产品属性 属性值 选择属性
MACOM
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
Screw Mount
440223
N-Channel
125 V
18 A
- 3.8 V
- 40 C
+ 150 C
150 W
商标: MACOM
开发套件: CGHV40180F-TB1
增益: 20.3 dB
最大工作频率: 1 GHz
最小工作频率: 50 MHz
输出功率: 180 W
封装: Tray
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 25
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V, 2 V
单位重量: 25.676 g
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CG2H40xx和CG2H30xx GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Wolfspeed /Cree CG2H40xx和CG2H30xx GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 采用28V导轨式电源供电。CG2H40xx和CG2H30xx晶体管是面向各种射频和微波应用的通用型宽带解决方案。这些高电子迁移率晶体管 (HEMT) 具有高效率、高增益和高带宽，非常适合用于线性和压缩放大器电路。CG2H40xx和CG2H30xx晶体管可采用各种封装，包括螺丝固定、法兰封装、焊接封装、丸剂式封装以及2引脚法兰封装。典型应用包括宽带放大器、蜂窝基础设施和雷达。
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