DIW065SIC080

Diotec Semiconductor
637-DIW065SIC080
DIW065SIC080

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Diotec Semiconductor DIW065SIC080详情

库存量: 450

库存：
450 可立即发货
生产周期：
21 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥125.6447 ¥125.64
¥98.1857 ¥981.86
¥58.8956 ¥7,067.47
¥58.3193 ¥29,742.84
¥56.50 ¥57,630.00
2,520 报价

产品属性 属性值 选择属性
Diotec Semiconductor
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
36 A
80 mOhms
- 5 V, + 18 V
4 V
75 nC
- 55 C
+ 175 C
175 W
Enhancement
DIW065SIC080
商标: Diotec Semiconductor
配置: Single
下降时间: 9 ns
正向跨导 - 最小值: 3.5 S
产品: MOSFETs
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 13 ns
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。