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F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1

Name: Infineon F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-F3L8MXTR12C2M2QH
Price: 1359.54 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-F3L8MXTR12C2M2QH

制造商编号：

F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET模块 EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology

寿命周期:

新产品:

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数据表:

F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	SiC
安装风格:	Press Fit
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	95 A
Rds On-漏源导通电阻:	16.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.3 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	20 mW
系列:	EasyPACK C series
封装:	Tray
商标:	Infineon Technologies
下降时间:	28.7 ns
高度:	12 mm
If - 正向电流:	55 A
长度:	57.1 mm
产品:	MOSFET Module
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	24.5ns
工厂包装数量:	18
子类别:	Discrete and Power Modules
商标名:	CoolSiC
类型:	MOSFET
典型关闭延迟时间:	63 ns
典型接通延迟时间:	50.4 ns
Vf - 正向电压:	4.35 V
宽度:	53 mm

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数据表

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合规代码

CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 德国
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

EasyPACK™ C系列CoolSiC MOSFET模块

英飞凌EasyPACK™ C系列CoolSiC MOSFET模块将第二代CoolSiC沟槽MOSFET与低电感Easy C系列平台及XT.互连技术相结合。该系列英飞凌模块在功率循环过程中具备超低开关损耗、更严格的寄生控制以及更高的稳健性。坚固耐用的PressFIT压接引脚、集成NTC检测、集成安装卡扣以及高CTI绝缘材料可简化组装流程，且支持严苛的任务工况需求。该系列产品提供四组（F4）和三电平（F3）拓扑结构，以及8mΩ和13mΩ两种电阻等级，可帮助用户提高开关频率、减小磁性元件尺寸并提升功率密度，同时保持EMI性能和热裕量。

EasyPACK™ CoolSiC™沟槽型MOSFET模块

英飞凌EasyPACK™ CoolSiC™沟槽型MOSFET模块采用PressFIT接触技术，并集成了负温度系数 (NTC) 温度传感器。这些模块在1200V漏-源电压下工作，具有低电感设计、低开关损耗和大电流密度。EasyPACK™模块由于集成了安装夹，因此安装牢固，且封装CTI >600。其应用范围包括高频开关设备、DC/DC转换器和电动汽车的DC充电器。凭借Easy 2C系列，英飞凌让更多大功率设计使用SiC G2技术和先进的XT特性。该XT技术增强了坚固性并扩展了运行温度，而第二代SiC MOSFET技术改进了栅极氧化物可靠性并降低了导通电阻。

1200V CoolSiC™模块

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™模块是碳化硅 (SiC) MOSFET模块，具有较高的效率和系统灵活性。这些模块采用近阈值电路 (NTC) 和PressFIT触点技术。该款CoolSiC模块具有高电流密度、出色的开关和导通损耗以及低电感设计。这些模块具有高频工作能力、较高的功率密度以及经过优化的开发周期时间和成本。