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F413MXTR12C1M2H11BPSA1

Name: Infineon F413MXTR12C1M2H11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-F413MXTR12C1M2H1
Price: 1066.52 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-F413MXTR12C1M2H1

制造商编号：

F413MXTR12C1M2H11BPSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET模块 EasyPACK 1C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 13 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

F413MXTR12C1M2H11BPSA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	SiC
安装风格:	Press Fit
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	60 A
Rds On-漏源导通电阻:	25.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 25 C
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.35 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	20 mW
系列:	EasyPACK C series
封装:	Tray
商标:	Infineon Technologies
下降时间:	16 ns
If - 正向电流:	30 A
长度:	48.1 mm
产品:	MOSFET Module
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	12 ns
工厂包装数量:	24
子类别:	Discrete and Power Modules
商标名:	CoolSiC
类型:	MOSFET
典型关闭延迟时间:	48 ns
典型接通延迟时间:	24 ns
Vf - 正向电压:	4.35 V
宽度:	37.2 mm

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数据表

F413MXTR12C1M2H11BPSA1 数据表 (PDF)

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合规代码

CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 德国
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

EasyPACK™ C系列CoolSiC MOSFET模块

英飞凌EasyPACK™ C系列CoolSiC MOSFET模块将第二代CoolSiC沟槽MOSFET与低电感Easy C系列平台及XT.互连技术相结合。该系列英飞凌模块在功率循环过程中具备超低开关损耗、更严格的寄生控制以及更高的稳健性。坚固耐用的PressFIT压接引脚、集成NTC检测、集成安装卡扣以及高CTI绝缘材料可简化组装流程，且支持严苛的任务工况需求。该系列产品提供四组（F4）和三电平（F3）拓扑结构，以及8mΩ和13mΩ两种电阻等级，可帮助用户提高开关频率、减小磁性元件尺寸并提升功率密度，同时保持EMI性能和热裕量。

EasyPACK™ CoolSiC™沟槽型MOSFET模块

英飞凌EasyPACK™ CoolSiC™沟槽型MOSFET模块采用PressFIT接触技术，并集成了负温度系数 (NTC) 温度传感器。这些模块在1200V漏-源电压下工作，具有低电感设计、低开关损耗和大电流密度。EasyPACK™模块由于集成了安装夹，因此安装牢固，且封装CTI >600。其应用范围包括高频开关设备、DC/DC转换器和电动汽车的DC充电器。凭借Easy 2C系列，英飞凌让更多大功率设计使用SiC G2技术和先进的XT特性。该XT技术增强了坚固性并扩展了运行温度，而第二代SiC MOSFET技术改进了栅极氧化物可靠性并降低了导通电阻。

1200V CoolSiC™模块

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™模块是碳化硅 (SiC) MOSFET模块，具有较高的效率和系统灵活性。这些模块采用近阈值电路 (NTC) 和PressFIT触点技术。该款CoolSiC模块具有高电流密度、出色的开关和导通损耗以及低电感设计。这些模块具有高频工作能力、较高的功率密度以及经过优化的开发周期时间和成本。