FDD7N25LZTM

onsemi
512-FDD7N25LZTM
FDD7N25LZTM

制造商：

说明：
MOSFET 250V N-Channel MOSFET, UniFET

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 16,610

库存：
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生产周期：
8 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥10.9158 ¥10.92
¥6.8252 ¥68.25
¥4.52 ¥452.00
¥3.5482 ¥1,774.10
¥3.1979 ¥3,197.90
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥2.8702 ¥7,175.50
¥2.7911 ¥13,955.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
250 V
6.2 A
430 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
56 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
正向跨导 - 最小值: 7 S
产品类型: MOSFETs
系列: FDD7N25LZ
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 330 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

N通道PowerTrench® MOSFET

Fairchild Semiconductor N通道PowerTrench® MOSFET采用Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench®工艺制成，此种工艺专门设计用以将通态电阻降至最低，同时保持出众的开关性能。Fairchild Semiconductor N通道PowerTrench® MOSFET具有30V-250V各种漏极至源极电压规格。

FDD10N20LZ和FDD7N25LZ均为N通道增强型模式功率场效应晶体管，采用Fairchild的专有平面条状和DMOS技术制成。该先进技术特别设计用于将通态电阻降至最低，提供出众的开关性能，且能承受雪崩和换流模式下的高能脉冲。这些器件非常适用于高效开关模式电源和主动功率因数校正。

FDMC6296是一款单N通道MOSFET，采用高热效率MicroFET封装。其经过特别设计以确保负载点转换器中的出色表现。通过提供rDS(on)和栅极电荷之间的最佳平衡，此器件可有效用作一个“高侧”控制开关或“低侧”同步整流器。
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