FDMS86181

Name: onsemi FDMS86181
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86181
Price: 22.98 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

512-FDMS86181

制造商编号：

FDMS86181

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 100V/20V N-Chnl Power Trench MOSFET

数据表:

FDMS86181 数据表

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封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥25.9674	¥25.97
	¥15.142	¥151.42
	¥11.9893	¥1,198.93
	¥11.1644	¥5,582.20
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥9.1869	¥27,560.70
24,000	报价

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	Power-56-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	124 A
Rds On-漏源导通电阻:	12 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	42 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	125 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	6 ns
正向跨导 - 最小值:	116 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	9 ns
系列:	FDMS86181
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	25 ns
典型接通延迟时间:	17 ns
单位重量:	90 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

FDMS86181 数据表

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET是100V N沟道MV MOSFET，采用集成了屏蔽栅极技术的先进PowerTrench®工艺研发而成。这些MOSFET将通态电阻(RDSON)和反向恢复电荷(Qrr)降至最低，以提供出色的开关性能和效率。小栅极电荷(QG)、小反向恢复电荷(Qrr)和品质因数(FOM)确保同步整流应用的快速切换。这些器件的电压过冲很小甚至没有，降低了电压振铃，并减少了EMI，适用于电源和电机驱动等要求额定电压为100V的MOSFET的应用。此外，MOSFET提高了功率密度，使MOSFET能够更大幅地降额。这些器件100%经过UIL测试，可采用MSL1稳健封装设计。
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