onsemi 屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET是100V N沟道MV MOSFET，采用集成了屏蔽栅极技术的先进PowerTrench®工艺研发而成。 这些MOSFET将通态电阻(RDSON)和反向恢复电荷(Qrr)降至最低，以提供出色的开关性能和效率。 小栅极电荷(QG)、小反向恢复电荷(Qrr)和品质因数(FOM)确保同步整流应用的快速切换。 这些器件的电压过冲很小甚至没有，降低了电压振铃，并减少了EMI，适用于电源和电机驱动等要求额定电压为100V的MOSFET的应用。 此外，MOSFET提高了功率密度，使MOSFET能够更大幅地降额。 这些器件100%经过UIL测试，可采用MSL1稳健封装设计。