FP35R12N2T7BPSA2

Infineon Technologies
726-FP35R12N2T7BPSA2
FP35R12N2T7BPSA2

制造商：

说明：
IGBT 模块 1200 V, 35 A PIM IGBT module

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库存量: 3

库存：
3
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在途量:
30
预期 2026/7/16
生产周期：
13
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
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¥558.333 ¥558.33
¥535.2584 ¥5,352.58
¥461.8084 ¥48,489.88

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS:  
IGBT Silicon Modules
3-Phase Inverter
1.2 kV
1.6 V
35 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Tray
商标: Infineon Technologies
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 15
子类别: IGBTs
技术: Si
零件号别名: FP35R12N2T7 SP005597311 FP35R12N2T7BPSA1
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已选择的属性: 0

数据表

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合规代码
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
奥地利
组装原产国/地区:
匈牙利
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

1200V PIM三相输入整流器

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1200 V PIM IGBT模块

英飞凌 1200V PIM IGBT模块采用TRENCHSTOP™ IGBT7和EC7二极管技术，基于最新的微型沟槽技术。此技术可大幅降低损耗并提供高度可控性。与以前使用的方形沟槽电池相比，该电池概念的特点是通过亚微米网状分离实现并联沟槽式电池。该芯片专门优化用于工业驱动应用和太阳能系统，这意味着更低的静态损耗，更高的功率密度，以及更柔和的开关。对于英飞凌1200V PIM IGBT模块，将最大工作温度提升至175°C可显著提高功率密度。

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