FP35R12N2T7BPSA2

Infineon Technologies
726-FP35R12N2T7BPSA2
FP35R12N2T7BPSA2

制造商：

说明：
IGBT 模块 1200 V, 35 A PIM IGBT module

数据表:
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库存量: 15

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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥541.3717 ¥541.37
¥469.741 ¥4,697.41
¥410.0205 ¥43,052.15

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS:  
IGBT Silicon Modules
3-Phase Inverter
1.2 kV
1.6 V
35 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Tray
商标: Infineon Technologies
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 15
子类别: IGBTs
技术: Si
零件号别名: FP35R12N2T7 SP005597311 FP35R12N2T7BPSA1
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

1200 V PIM IGBT模块

英飞凌 1200V PIM IGBT模块采用TRENCHSTOP™ IGBT7和EC7二极管技术，基于最新的微型沟槽技术。此技术可大幅降低损耗并提供高度可控性。与以前使用的方形沟槽电池相比，该电池概念的特点是通过亚微米网状分离实现并联沟槽式电池。该芯片专门优化用于工业驱动应用和太阳能系统，这意味着更低的静态损耗，更高的功率密度，以及更柔和的开关。对于英飞凌1200V PIM IGBT模块，将最大工作温度提升至175°C可显著提高功率密度。

1200V PIM三相输入整流器

Infineon Technologies 1200V PIM三相输入整流器是EconoPIM™ 2 1200V、100A三相PIM IGBT模块。该整流器设有TRENCHSTOP™ IGBT7、发射器控制7二极管和NTC。功率集成模块 (PIM) 集成整流器和制动斩波器，可节省系统成本。

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