英飞凌科技FZ35R12ST4_H18_A采用TRENCHSTOP™ IGBT7/4,其发射极控制7 二极管,而FS25MR12SM2_A集成了最新一代CoolSiC™ MOSFET 1200V和大电流压接式引脚。
特性
- 大规模生产
- 设计目的
- 支持高水平自动化处理,以提升整个客户生产线的效率
- 具有价格竞争力
- 与市场上广泛的替代产品相比,具有很强的成本竞争力。
- 包括顶侧冷却装置和模制封装
- 面向未来的设计
- 专为支持下一代芯片技术而设计
- 专为满足苛刻的使用寿命和可靠性要求而设计
- 降低系统成本
- 高效电源转换
- 出色的热性能
- 紧凑、灵活的设计
应用
- 板载充电器
- 电动汽车 (EV) 充电基础设施
- 工业驱动系统
- 可再生能量应用
Additional Resources
视频
发布日期: 2026-06-05
| 更新日期: 2026-06-12

