FS1150R08A8P3CHPSA1

Infineon Technologies
726-FS1150R08A8P3CHP
FS1150R08A8P3CHPSA1

制造商：

说明：
分立半导体模块 HybridPACK Drive G2 module

寿命周期:
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥4,763.7749 ¥4,763.77
¥4,241.2629 ¥50,895.15

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 分立半导体模块
RoHS:  
Power Modules
Drive G2 Module
SiC
1.76 V
400 V
Press Fit
DIP-7
- 40 C
+ 175 V
HybridPACK
Tray
商标: Infineon Technologies
配置: Sixpack
下降时间: 91 ns
Id-连续漏极电流: 600 A
Pd-功率耗散: 1 kW
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
上升时间: 50 ns
工厂包装数量: 6
子类别: Discrete and Power Modules
典型关闭延迟时间: 929 ns
典型接通延迟时间: 222 ns
Vds-漏源极击穿电压: 750 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5.8 V
零件号别名: FS1150R08A8P3C SP006071554
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

HybridPACK™ Drive G2模块

英飞凌HybridPACK ™ Drive G2模块是一款紧凑型电源模块，设计用于混合动力汽车和电动汽车牵引。 英飞凌G2模块采用Si或SiC技术以及不同芯片组，具有可扩展的性能水平，同时保持相同的模块尺寸。该模块于2017年推出，采用硅EDT2技术，优化用于提高实际驱动效率。2021年，推出CoolSiC™ 版本，带来更高的电池密度和更好的性能。2023年，第二代HybridPACK Drive G2上市，采用EDT3（Si IGBT）和CoolSiC™ G2 MOSFET技术，为传感器带来易用性和集成选项，在750V和1200V级别内可实现高达300kW的性能。

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