IGB110S101XTMA1

Infineon Technologies
726-IGB110S101XTMA1
IGB110S101XTMA1

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 MV GAN DISCRETES

寿命周期:
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库存量: 2,240

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥19.6055 ¥19.61
¥12.5769 ¥125.77
¥8.6897 ¥868.97
¥7.3563 ¥3,678.15
¥6.2489 ¥6,248.90
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
¥5.311 ¥26,555.00

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
PG-VSON-4
HEMT
1 Channel
100 V
23 A
- 4 V, + 5.5 V
2.9 V
3.4 nC
- 40 C
+ 150 C
15 W
Enhancement
CoolGaN
商标: Infineon Technologies
配置: Single
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: Transistors
产品类型: GaN FETs
系列: 100V G3
工厂包装数量: 5000
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: CoolGaN Transistor
零件号别名: IGB110S101 SP005751574
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolGaN™ 100V G3晶体管

英飞凌CoolGaN™ 100V G3晶体管是采用紧凑型外壳的常关、增强模式 (e-mode) 功率晶体管。这些晶体管具有低导通电阻，使这些器件成为在苛刻的高电流和高电压应用中要有可靠性能的理想选择。CoolGaN晶体管 设计改善了热管理。典型应用包括音频放大器解决方案、光伏、电信基础设施、电动出行、机器人和无人机。

CoolGaN™ G3晶体管

英飞凌 CoolGaN™ G3晶体管设计用在高功率密度应用中提供优异的性能。此系列晶体管的导通电阻极低，能够实现高效的功率转换，减少能量损耗。英飞凌CoolGaN G3晶体管提供四种电压选项（60V、80V、100V和120V），具备超快的开关速度和极低的栅极/输出电荷。此系列晶体管采用紧凑型PQFN封装，可增强热管理，支持双面冷却，即使在严苛条件下也能够确保可靠运行。这些特性使得CoolGaN G3晶体管成为电信、数据中心电源和工业电力系统等应用领域的理想选择。

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