IGC025S08S1XTMA1

Infineon Technologies
726-IGC025S08S1XTMA1
IGC025S08S1XTMA1

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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库存量: 6,355

库存：
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生产周期：
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥36.2278 ¥36.23
¥24.3176 ¥243.18
¥18.0348 ¥1,803.48
¥16.046 ¥8,023.00
¥14.803 ¥14,803.00
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
¥12.5769 ¥62,884.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
1 Channel
80 V
86 A
2.5 mOhms
6.5 V
2.9 V
12 nC
- 40 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
CoolGaN
商标: Infineon Technologies
配置: Single
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品: Transistors
产品类型: GaN FETs
系列: 60 V - 120 V G3
工厂包装数量: 5000
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: P-Channel
类型: CoolGaN
零件号别名: IGC025S08S1 SP006027447
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolGaN™ G3晶体管

英飞凌 CoolGaN™ G3晶体管设计用在高功率密度应用中提供优异的性能。此系列晶体管的导通电阻极低，能够实现高效的功率转换，减少能量损耗。英飞凌CoolGaN G3晶体管提供四种电压选项（60V、80V、100V和120V），具备超快的开关速度和极低的栅极/输出电荷。此系列晶体管采用紧凑型PQFN封装，可增强热管理，支持双面冷却，即使在严苛条件下也能够确保可靠运行。这些特性使得CoolGaN G3晶体管成为电信、数据中心电源和工业电力系统等应用领域的理想选择。

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