IMBG65R030M1HXTMA1

Infineon Technologies
726-IMBG65R030M1HXTM
IMBG65R030M1HXTMA1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

数据表:
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库存量: 1,477

库存：
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生产周期：
8 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于1477的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥95.7901 ¥95.79
¥64.9298 ¥649.30
¥56.50 ¥5,650.00
¥56.4096 ¥28,204.80
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥46.0701 ¥46,070.10
¥45.0757 ¥90,151.40
10,000 报价
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
650 V
63 A
42 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
234 W
Enhancement
CoolSiC
商标: Infineon Technologies
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品: MOSFETs
产品类型: SiC MOSFETS
系列: CoolSiC 650V
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
技术: SiC
零件号别名: IMBG65R030M1H SP005539165
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已选择的属性: 0

数据表

Product Catalogs

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ MOSFET 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFET 650V将碳化硅的物理强度与增强器件性能、可靠性和易用性的特性相结合。CoolSiC™ MOSFET采用先进的沟槽半导体工艺，应用损耗极低，运行可靠性极高。CoolSiC非常适合在高温和恶劣环境应用中使用。

650V CoolSiC™ M1沟槽式功率MOSFET

英飞凌科技  650V CoolSiC ™ M1沟槽式功率MOSFET结合了碳化硅的优异物理特性和独特功能，从而提高了器件性能、可靠性和易用性。CoolSiC M1 MOSFET基于先进的沟槽半导体工艺，优化用于实现最低应用损耗和 最高运行可靠性。这些器件适用于高温和恶劣环境，能够简化系统部署，降低成本，并实现最高的系统效率。 

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