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IMBG65R072M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG65R072M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG65R072M1HXTM
Price: 58.85 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IMBG65R072M1HXTM

制造商编号：

IMBG65R072M1HXTMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

寿命周期:

NRND:

不建议用于新设计。

数据表:

IMBG65R072M1HXTMA1 数据表 (PDF)

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输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥66.5005	¥66.50
	¥43.505	¥435.05
	¥37.1431	¥3,714.31
	¥36.8041	¥18,402.05
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥31.188	¥31,188.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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制造商：

Infineon Technologies

制造商编号：

IMBG65R075M2HXTMA1

说明：

碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

寿命周期:

新产品: 此制造商的新产品。

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	33 A
Rds On-漏源导通电阻:	94 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 5 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.7 V
Qg-栅极电荷:	22 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	140 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolSiC
商标:	Infineon Technologies
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品:	MOSFETs
产品类型:	SiC MOSFETS
系列:	CoolSiC 650V
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
技术:	SiC
零件号别名:	IMBG65R072M1H SP005539178

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数据表

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Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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