IMYH200R024M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMYH200R024M1HXK
IMYH200R024M1HXKSA1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Infineon Technologies IMYH200R024M1HXKSA1详情

库存量: 599

库存：
599
可立即发货
在途量:
960
预期 2026/3/2
生产周期：
26
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥357.2495 ¥357.25
¥310.3545 ¥3,103.55
¥271.4712 ¥27,147.12

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
2 kV
89 A
33 mOhms
- 10 V, + 23 V
3.5 V
137 nC
- 55 C
+ 150 C
576 W
Enhancement
CoolSIC
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 16 ns
正向跨导 - 最小值: 20 S
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 240
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
零件号别名: IMYH200R024M1H SP005745284
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

2000V CoolSiC™ MOSFET

英飞凌科技2000V CoolSiC™ MOSFET是沟槽式MOSFET，采用TO-247PLUS-4-HCC封装。这些MOSFET设计用于在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度，即使在苛刻的高压和开关频率条件下也是如此。CoolSiC™技术具有低功耗，采用.XT互连技术，可靠性极高，可在各种应用中提高效率。2000V MOSFET具有4.5V基准栅极阈值电压，开关损耗非常低。典型应用包括储能系统、电动汽车充电、灯串逆变器和太阳能优化器。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。