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IXXH110N65C4

Name: IXYS IXXH110N65C4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXXH110N65C4
Price: 104.24 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

747-IXXH110N65C4

制造商编号：

IXXH110N65C4

制造商：

IXYS

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT

数据表:

IXXH110N65C4 数据表

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数量	单价	总价
	¥117.7912	¥117.79
	¥68.7379	¥687.38
	¥61.7093	¥7,405.12
	¥60.2968	¥30,751.37

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247AD-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	2.35 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	235 A
Pd-功率耗散:	880 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	Trench
封装:	Tube
商标:	IXYS
集电极最大连续电流 Ic:	110 A
栅极—射极漏泄电流:	100 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	30
子类别:	IGBTs
商标名:	XPT
单位重量:	4.500 g

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ECCN:: EAR99

650V XPT™ High Speed Trench IGBTs

IXYS 650V XPT™ High Speed Trench IGBTs are designed to minimize conduction and switching losses, especially in hard-switching applications. IXYS 650V XPT High Speed Trench IGBTs are optimized for different switching speed ranges (up to 60kHz). Devices co-packed with IXYS ultra-fast Sonic-FRD™ diodes are also available. The current ratings of devices in this product family range from 30A to 200A at a high temperature of +110°C. These devices feature reduced thermal resistance, low energy losses, fast switching, low tail current, and high current densities. In addition, they display exceptional ruggedness under short-circuit conditions - a 10μs Short Circuit Safe Operating Area (SCSOA).

医疗设备解决方案

Littelfuse医疗设备解决方案提供有助于可靠运行和设备正常运行所需的可靠设计和高品质元件。这些解决方案包括呼吸机、除颤器和超声。Littelfuse医疗设备解决方案非常适合用于生命支持系统、患者护理设备和患者监护系统。

交流-直流电源

Littelfuse交流/直流电源是电子设计中常用的构建模块。这些电源构建块中的元件需要可靠、持久，Littelfuse提供符合这些要求的各种产品。该元件组合包括过流和过压保护、功率级和输出保护。Littelfuse AC/DC电源产品的典型应用领域包括汽车、太阳能、工业、制造业等。

沟槽型650V至1200V XPT™ GenX4™ IGBT

IXYS沟槽式650V至1200V XPT™ GenX4™ IGBT采用专有的XPT薄晶圆技术和最先进的第四代 (GenX4™) 沟槽式IGBT工艺进行开发。这些绝缘栅极双极晶体管具有低热阻、低能耗、快速开关、低拖尾电流和高电流密度等特性。该器件在开关和短路条件下具有出色的耐用性。

IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBT

IXYS IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBT是采用XPT薄晶圆技术的第四代沟槽IGBT。这些超低V_SAT IGBT晶体管支持高达5kHz开关频率，并优化实现了低导通损耗。IXYxN120A IGBT具有高功率密度、低栅极驱动要求和-55°C至+175°C工作温度等优势。这些晶体管采用TO-247和TO-269HV封装，每种封装具有1200V的电压和55A或85A的电流。IXYxN120A IGBT用在电源逆变器、电机驱动器、PFC电路、电池充电器、焊接机、灯具镇流器和浪涌电流保护器电路等应用中。