MWT-LN600

CML Micro
938-MWT-LN600
MWT-LN600

制造商：

说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices

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库存量: 100

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最少： 10   倍数： 10
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥302.3315 ¥3,023.32
¥260.4763 ¥65,119.08
500 报价

产品属性 属性值 选择属性
CML Micro
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:  
GaAs
175 mA
4.5 V
26 GHz
8 dB, 11 dB
20 dBm
+ 150 C
Die
Bulk
商标: CML Micro
正向跨导 - 最小值: 300 mS
Pd-功率耗散: 500 mW
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: MWT
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
商标名: MWT-LN600
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已选择的属性: 0

数据表

Other

合规代码
USHTS:
8541210040
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
美国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.

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