NSF017120T1A0HP

Name: Nexperia NSF017120T1A0HP
Brand: Nexperia
SKU: 771-NSF017120T1A0HP
Price: 155.26 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

771-NSF017120T1A0HP

制造商编号：

NSF017120T1A0HP

制造商：

Nexperia

说明：

碳化硅MOSFET NSF017120T1A0/SOT8114/QDPAK

寿命周期:

新产品:

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数据表:

NSF017120T1A0HP 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Nexperia
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	QDPAK-22
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	111 A
Rds On-漏源导通电阻:	26 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.9 V
Qg-栅极电荷:	196 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	469 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Nexperia
配置:	Single
下降时间:	11 ns
正向跨导 - 最小值:	32 S
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	MOSFET
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	16 ns
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	SiC MOSFET
典型关闭延迟时间:	42 ns
典型接通延迟时间:	40 ns
零件号别名:	934669814128

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已选择的属性: 0

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数据表

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

1200V SiC MOSFET

Nexperia 1200V SiC MOSFET采用QDPAK（顶部冷却）封装，专为需要高能效、大功率密度和稳健散热性能的汽车和工业电源转换系统而设计。此系列器件将SiC切换性能与顶部冷却封装架构相结合，提供直接的裸片到散热器散热路径。这减少了对PCB热扩散的依赖，支持在紧凑型设计中采用更简单、更有效的冷却概念。典型应用包括EV车载充电器、DC-DC转换器、牵引和辅助逆变器、EV充电基础设施、可再生能量系统以及大功率AC-DC/DC-DC转换。