NSF040120L4A1Q

Name: Nexperia NSF040120L4A1Q
Brand: Nexperia
SKU: 771-NSF040120L4A1Q
Price: 42.38 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

771-NSF040120L4A1Q

制造商编号：

NSF040120L4A1Q

制造商：

Nexperia

说明：

碳化硅MOSFET NSF040120L4A1/SOT8071/TO247-4L

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

NSF040120L4A1Q 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Nexperia
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	53 A
Rds On-漏源导通电阻:	60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.9 V
Qg-栅极电荷:	81 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	234 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Nexperia
配置:	Single
下降时间:	7 ns
封装:	Reel
产品:	SiC MOSFETS
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	20 ns
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	SiC MOSFET
典型关闭延迟时间:	20 ns
典型接通延迟时间:	16 ns
零件号别名:	934668741127 934670000000

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数据表

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

1200V SiC MOSFET

Nexperia 1200V SiC MOSFET采用QDPAK（顶部冷却）封装，专为需要高能效、大功率密度和稳健散热性能的汽车和工业电源转换系统而设计。此系列器件将SiC切换性能与顶部冷却封装架构相结合，提供直接的裸片到散热器散热路径。这减少了对PCB热扩散的依赖，支持在紧凑型设计中采用更简单、更有效的冷却概念。典型应用包括EV车载充电器、DC-DC转换器、牵引和辅助逆变器、EV充电基础设施、可再生能量系统以及大功率AC-DC/DC-DC转换。