NSF080120L3A0Q

Name: Nexperia NSF080120L3A0Q
Brand: Nexperia
SKU: 771-NSF080120L3A0
Price: 67.78 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

771-NSF080120L3A0

制造商编号：

NSF080120L3A0Q

制造商：

Nexperia

说明：

碳化硅MOSFET NSF080120L3A0/SOT429-2/TO247-3

数据表:

NSF080120L3A0Q 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Nexperia
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	36 A
Rds On-漏源导通电阻:	120 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.9 V
Qg-栅极电荷:	44 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	202 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Nexperia
配置:	Single
下降时间:	14 ns
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	14 ns
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	15 ns
典型接通延迟时间:	30 ns
零件号别名:	934665928127

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数据表

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Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

1200V SiC MOSFET

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