NTBL035N65GN1TXG

onsemi
863-NTBL035N65GN1TXG
NTBL035N65GN1TXG

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 650V, 35MR LGAN TOLL

寿命周期:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
PDSO-F9
HEMT
1 Channel
650 V
64 A
27 mOhms
- 6 V, + 7 V
1.5 V
21 nC
- 55 C
+ 150 C
367 W
Enhancement
GaN
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 11 ns
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: Transistors
产品类型: GaN FETs
上升时间: 12 ns
系列: NTBL035N65GN1
工厂包装数量: 1200
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Enhancement Mode HEMT
典型关闭延迟时间: 11 ns
典型接通延迟时间: 5.3 ns
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已选择的属性: 0

数据表

合规代码
USHTS:
8541210095
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
不可用
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

GaNEXUS™ GaN FET

安森美 (onsemi) GaNEXUS™氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 利用氮化镓的宽带隙材料特性，与硅材料功率晶体管相比，可实现快速开关、低栅极和输出电荷 以及增强的效率。这些特性可实现更高的工作频率、更高的功率密度以及在低、中、高和超高电压电源转换应用中减少磁性元件的数量。增强模式的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT具有40V至650V的电压范围，包括集成保护功能的650V GaNEXUS智能氮化镓场效应晶体管，以提高可靠性并简化系统集成。安森美 (onsemi) GaNEXUS系列的理想应用包括工业自动化、机器人、人工智能数据中心、汽车 电气化和能源基础设施。

供货情况

库存：
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在途量:
2,400
预期 2026/10/26
生产周期：
19
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥125.3961 ¥125.40
¥73.9472 ¥739.47
整卷卷轴（请按1200的倍数订购）
¥69.3933 ¥83,271.96
2,400 报价

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