NTBL050N65GN1TXG

onsemi
863-NTBL050N65GN1TXG
NTBL050N65GN1TXG

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 650V, 50MR LGAN TOLL

寿命周期:
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数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
PDSO-F9
HEMT
1 Channel
650 V
40 A
39 mOhms
- 6 V, + 7 V
1.5 V
10.6 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
GaN
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 9.9 ns
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: Transistors
产品类型: GaN FETs
上升时间: 7.3 ns
系列: NTBL050N65GN1
工厂包装数量: 1200
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Enhancement Mode HEMT
典型关闭延迟时间: 9.2 ns
典型接通延迟时间: 4.5 ns
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已选择的属性: 0

数据表

合规代码
USHTS:
8541210095
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
不可用
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

GaNEXUS™ GaN FET

安森美 (onsemi) GaNEXUS™氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 利用氮化镓的宽带隙材料特性，与硅材料功率晶体管相比，可实现快速开关、低栅极和输出电荷 以及增强的效率。这些特性可实现更高的工作频率、更高的功率密度以及在低、中、高和超高电压电源转换应用中减少磁性元件的数量。增强模式的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT具有40V至650V的电压范围，包括集成保护功能的650V GaNEXUS智能氮化镓场效应晶体管，以提高可靠性并简化系统集成。安森美 (onsemi) GaNEXUS系列的理想应用包括工业自动化、机器人、人工智能数据中心、汽车 电气化和能源基础设施。

供货情况

库存：
0

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在途量:
2,400
预期 2026/10/26
生产周期：
18
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥94.2985 ¥94.30
¥68.2407 ¥682.41
¥56.8277 ¥5,682.77
¥50.624 ¥25,312.00
整卷卷轴（请按1200的倍数订购）
¥43.0078 ¥51,609.36
2,400 报价

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