NTBL060N065SC1

Name: onsemi NTBL060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL060N065SC1
Price: 74.59 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTBL060N065SC1

制造商编号：

NTBL060N065SC1

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH TOLL

数据表:

NTBL060N065SC1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SO-8
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	46 A
Rds On-漏源导通电阻:	70 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, + 22.6 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.3 V
Qg-栅极电荷:	74 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 170 C
Pd-功率耗散:	170 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	11 ns
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	14 ns
系列:	NTBL060N065SC1
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	24 ns
典型接通延迟时间:	11 ns

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数据表

NTBL060N065SC1 数据表 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

650V EliteSiC (碳化硅) MOSFET

安森美（onsemi）650V EliteSiC（碳化硅）MOSFET采用的技术与硅器件相比，可提供出色的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸可确保低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括最高效率、更快工作频率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系统尺寸。安森美（onsemi）TOLL封装具有开尔文源极配置和较低的寄生源极电感，可提高散热性能并具有出色的开关性能。TOLL提供1级潮湿敏感度 (MSL 1)。