NTH4L022N120M3S

Name: onsemi NTH4L022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L022N120M3S
Price: 142.15 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTH4L022N120M3S

制造商编号：

NTH4L022N120M3S

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1

数据表:

NTH4L022N120M3S 数据表

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	¥160.6295	¥160.63
	¥105.2934	¥1,052.93
	¥102.8978	¥10,289.78

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	68 A
Rds On-漏源导通电阻:	30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.4 V
Qg-栅极电荷:	151 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	352 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	13 ns
正向跨导 - 最小值:	34 S
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	24 ns
系列:	NTH4L022N120M3S
工厂包装数量:	450
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	48 ns
典型接通延迟时间:	18 ns

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数据表

NTH4L022N120M3S 数据表

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

M3S EliteSiC MOSFET

安森美 (onsemi) M3S EliteSiC MOSFET 是适用于采用硬开关拓扑的高频开关应用解决方案。安森美 (onsemi) M3S MOSFET旨在优化性能和效率。与1200V 20mΩ M1同类产品相比，该设备的总开关损耗 (Etot) 显著降低了约40%。M3S EliteSiC MOSFET非常适合各种应用，包括太阳能发电系统、车载充电器和电动汽车 (EV) 充电站。

NTH4L碳化硅（SiC）MOSFET

onsemi NTH4L碳化硅（SiC）MOSFET是1200V M3S平面SiC MOSFET系列。这些MOSFET具有超低栅极电荷和低开关损耗的特点。某些MOSFET型号可提供额定电容较低的高速开关。NTH4L系列经过100%雪崩测试，符合RoHS规范。Onsemi NTH4L SiC MOSFET是各种电源应用的理想选择，包括太阳能逆变器、电动汽车（ev）充电站、不间断电源（UPS）、储能系统和开关模式电源（SMPS）。

M3S 1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美半导体M3S 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET优化用于快速开关应用。该平面技术可在栅极处于负栅极电压驱动和关断尖峰状态下可靠工作。安森美半导体M3S 1200V MOSFET由18V栅极驱动驱动时可提供最佳性能，但也可与15V栅极驱动配合使用。M3S具有低开关损耗，采用TO247-4LD封装，可实现低公共源电感。