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NTH4L022N120M3S

Name: onsemi NTH4L022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L022N120M3S
Price: 134.91 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTH4L022N120M3S

制造商编号：

NTH4L022N120M3S

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

数据表:

NTH4L022N120M3S 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	68 A
Rds On-漏源导通电阻:	30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.4 V
Qg-栅极电荷:	151 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	352 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	13 ns
正向跨导 - 最小值:	34 S
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	24 ns
系列:	NTH4L022N120M3S
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	48 ns
典型接通延迟时间:	18 ns

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数据表

NTH4L022N120M3S 数据表

PCN

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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