NTLCC5D0N10GN1TWG

onsemi
863-TLCC5D0N10GN1TWG
NTLCC5D0N10GN1TWG

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 GaNEXUS FET, 100V, 3.8m, 3.3x3.3 Dual Cool

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
PTFP-N9
N-Channel
1 Channel
100 V
146 A
3.8 mOhms
- 4 V to 6 V
5.2 nC
- 40 C
+ 150 C
208 W
Enhancement
GaNEXUS
GaN
商标: onsemi
配置: Single
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: HEMTs
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Enhancement Mode Gallium Nitride HEMT
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已选择的属性: 0

数据表

合规代码
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

GaNEXUS™ GaN FET

安森美 (onsemi) GaNEXUS™氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 利用氮化镓的宽带隙材料特性，与硅材料功率晶体管相比，可实现快速开关、低栅极和输出电荷 以及增强的效率。这些特性可实现更高的工作频率、更高的功率密度以及在低、中、高和超高电压电源转换应用中减少磁性元件的数量。增强模式的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT具有40V至650V的电压范围，包括集成保护功能的650V GaNEXUS智能氮化镓场效应晶体管，以提高可靠性并简化系统集成。安森美 (onsemi) GaNEXUS系列的理想应用包括工业自动化、机器人、人工智能数据中心、汽车 电气化和能源基础设施。

供货情况

库存：
0

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在途量:
2,500
预期 2026/11/27
生产周期：
44
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1   最多： 250
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥33.4141 ¥33.41
¥21.922 ¥219.22
¥16.2946 ¥1,629.46
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥16.2946 ¥40,736.50

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